Pampillón Arce | Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets | Buch | 978-3-319-88284-0 | sack.de

Buch, Englisch, 164 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 2934 g

Reihe: Springer Theses

Pampillón Arce

Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets

Buch, Englisch, 164 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 2934 g

Reihe: Springer Theses

ISBN: 978-3-319-88284-0
Verlag: Springer International Publishing


This thesis describes the fabrication of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures using very high permittivity dielectrics (based on rare earths) grown by high-pressure sputtering from metallic targets. It demonstrates the possibility of depositing high permittivity materials (GdScO3) by means of high pressure sputtering from metallic targets using in situ plasma oxidation on Si and indium phosphate (InP) substrates. The advantage of this system is the high working pressure, which causes the particles to undergo multiple collisions and become thermalized before reaching the substrate in a pure diffusion process, thus protecting the semiconductor surface from damage. This work presents a unique fabrication using metallic targets and involving a two-step deposition process: a thin metallic film is sputtered in an Ar atmosphere and this film is then plasma oxidized in situ. It also demonstrates the fabrication of GdScO3 on Si with a permittivity value above 30 from metallicGd and Sc targets. Since co-sputtering was not possible, a nanolaminate of these materials was deposited and annealed. The electrical properties of these devices show that the material is highly interesting from a microelectronic integration standpoint.
Pampillón Arce Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets jetzt bestellen!

Zielgruppe


Research

Weitere Infos & Material


Introduction.- Fabrication Techniques.- Characterization Techniques.- Thermal Oxidation of Gd2o3.- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3.- Gadolinium Scandate.- Interface Scavenging.- Gd2o3 on Inp Substrates.- Conclusions and Future Work.


Ihre Fragen, Wünsche oder Anmerkungen
Vorname*
Nachname*
Ihre E-Mail-Adresse*
Kundennr.
Ihre Nachricht*
Lediglich mit * gekennzeichnete Felder sind Pflichtfelder.
Wenn Sie die im Kontaktformular eingegebenen Daten durch Klick auf den nachfolgenden Button übersenden, erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Ihr Angaben für die Beantwortung Ihrer Anfrage verwenden. Selbstverständlich werden Ihre Daten vertraulich behandelt und nicht an Dritte weitergegeben. Sie können der Verwendung Ihrer Daten jederzeit widersprechen. Das Datenhandling bei Sack Fachmedien erklären wir Ihnen in unserer Datenschutzerklärung.