Baliga | Fundamentals of Power Semiconductor Devices | Buch | 978-1-4899-7765-6 | sack.de

Buch, Englisch, 1069 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1621 g

Baliga

Fundamentals of Power Semiconductor Devices

Buch, Englisch, 1069 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1621 g

ISBN: 978-1-4899-7765-6
Verlag: Springer US


Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment focuses on silicon devices and includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.
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Material Properties and Transport Physics.- Breakdown Voltage.- Schottky Rectifiers.- P-i-N Rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar Junction Transistors.- Thyristors.- Thyristors.- Synopsis.


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