Baliga | Fundamentals of Power Semiconductor Devices | Buch | 978-1-4899-7765-6 | sack.de

Buch, Englisch, 1069 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1621 g

Baliga

Fundamentals of Power Semiconductor Devices


Softcover Nachdruck of the original 1. Auflage 2008
ISBN: 978-1-4899-7765-6
Verlag: Springer US

Buch, Englisch, 1069 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 1621 g

ISBN: 978-1-4899-7765-6
Verlag: Springer US

Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown.  The treatment focuses on silicon devices and includes the  unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.

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Zielgruppe

Professional/practitioner

Autoren/Hrsg.

Baliga, B. Jayant

Fachgebiete

Weitere Infos & Material

Material Properties and Transport Physics.- Breakdown Voltage.- Schottky Rectifiers.- P-i-N Rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar Junction Transistors.- Thyristors.- Thyristors.- Synopsis.

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