ULSI Devices

1. Auflage 2000
ISBN: 978-0-471-24067-9
Verlag: Wiley

Buch, Englisch, 744 Seiten, Format (B × H): 161 mm x 240 mm, Gewicht: 1270 g

Ultrahoch integrierte Schaltkreise (ULSI) - die nächste Schaltkreisgeneration - werden zwar noch nicht industriell eingesetzt, sind aber das Objekt intensiver Forschungsarbeit. Sie versprechen Vorteile im Stromverbrauch, arbeiten bei niedrigerer Spannung und sind schneller. Die Herausgeber dieses Buches haben die bekanntesten Forscher auf dem Gebiet der Schaltkreise gewonnen, um jeweils ein Kapitel zu ihrem eigenen Spezialgebiet zu schreiben. Kompetent und hochaktuell! (01/00)

Autoren/Hrsg.

Chang, C Y

Sze, Simon M

Fachgebiete

• Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Bauelemente, Schaltkreise
• Mathematik | Informatik EDV | Informatik Informatik

Inhaltsverzeichnis

Introduction (C. Chang & S. Sze).

DEVICE FUNDAMENTALS.

Bipolar Transistor Fundamentals (E. Kasper).

MOSFET Fundamentals (P. Wong).

Device Miniaturization and Simulation (S. Banerjee & B. Streetman).

DEVICE BUILDING BLOCKS AND ADVANCED DEVICE STRUCTURES.

SOI and Three-Dimensional Structures. (J. Colinge).

The Hot-Carrier Effect (B. Doyle).

DRAM and SRAM (S. Shichijo).

Nonvolatile Memory (J. Caywood & G. Derbenwich).

CIRCUIT BUILDING BLOCKS AND SYSTEM-IN-CHIP CONCEPT.

CMOS Digital and Analog Building Block Circuits for Mixed-Signal Applications (D. Pehlke & M. Chang).

High-Speed or Low-Voltage, Low-Power Operations (I. Chen & W. Liu).

System-on-Chip Concepts (M. Pelgrom).

Appendices.

Index.

Über Autor(innen)

C. Y. CHANG, PhD, is a National Chair Professor at the National Chiao Tung University in Hsinchu, Taiwan.

S. M. SZE, PhD, is UMC Chair Professor at the National Chiao Tung University.