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aufgrund unseres Sommerfestes sind wir am 03. September 2026 bis 14 Uhr erreichbar. Am 04. September 2026 sind wir wieder wie gewohnt für Sie da. Vielen Dank für Ihr Verständnis.
Ihr Team von Sack Fachmedien
Buch, Englisch, 211 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 341 g
Volume 2--Emerging Materials and Structures
Buch, Englisch, 211 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 341 g
ISBN: 978-3-319-83999-8
Verlag: Springer
This book describes the technology of charge-trapping non-volatile memories and their uses. The authors explain the device physics of each device architecture and provide a concrete description of the materials involved and the fundamental properties of the technology. Modern material properties, used as charge-trapping layers, for new applications are introduced.
- Provides a comprehensive overview of the technology for charge-trapping non-volatile memories;
- Details new architectures and current modeling concepts for non-volatile memory devices;
- Focuses on conduction through multi-layer gate dielectrics stacks.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Elektronische Baugruppen, Elektronische Materialien
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Biomaterialien, Nanomaterialien, Kohlenstoff
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Bauelemente, Schaltkreise
Weitere Infos & Material
Materials and Device Reliability in SONOS Memories.- Charge-Trap-Non-Volatile Memory and Focus on Flexible Flash Memory Devices.- Hybrid Memories Based on Redox Molecules.- Organic Floating-Gate Memory Structures.- Nanoparticles Based Flash-like Non Volatile Memories: Cluster Beam Synthesis of Metallic Nanoparticles and Challenges for the Overlying Control Oxide Layer.




