Schottky | Halbleiterprobleme | Buch | 978-3-662-16111-1 | www.sack.de

Buch, Deutsch, Band HP3, 280 Seiten, Format (B × H): 170 mm x 244 mm, Gewicht: 508 g

Reihe: Advances in Solid State Physics

Schottky

Halbleiterprobleme

In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955
1956
ISBN: 978-3-662-16111-1
Verlag: Springer

In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955

Buch, Deutsch, Band HP3, 280 Seiten, Format (B × H): 170 mm x 244 mm, Gewicht: 508 g

Reihe: Advances in Solid State Physics

ISBN: 978-3-662-16111-1
Verlag: Springer

Springer Book Archives

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Zielgruppe

Research

Autoren/Hrsg.

Schottky, W.

Fachgebiete

Weitere Infos & Material

Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.

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