Buch, Englisch, 80 Seiten, Paperback, Format (B × H): 150 mm x 220 mm, Gewicht: 137 g
Concept of ground plane and strained silicon , design of Fdsoi Mosfet and optimization for leakage & driving current
Buch, Englisch, 80 Seiten, Paperback, Format (B × H): 150 mm x 220 mm, Gewicht: 137 g
ISBN: 978-3-659-18463-5
Verlag: LAP Lambert Academic Publishing




