Beuth Bauelemente

20. Auflage 2015
ISBN: 978-3-8343-6198-1
Verlag: Vogel Communications Group GmbH & Co. KG
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

E-Book, Deutsch, Band 2, 446 Seiten

Reihe: Elektronik

Die Bauelemente der Elektronik werden für Ingenieure, Techniker und Facharbeiter umfassend, übersichtlich und leichtverständlich dargestellt. Darüber hinaus finden auch Nichttechniker und Schüler einen ballastarmen Einstieg in das weite Gebiet der Elektronik. Durch seine übersichtliche Struktur kann das Werk sowohl unterrichtsbegleitend als auch im Selbststudium eingesetzt werden. Lernziel-Tests zu jedem Kapitel überprüfen den Wissensstand.
Einführung in die Oszillographenmeßtechnik
Lineare und nichtlineare Widerstände
Kondensatoren und Spulen
Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole
Halbleiterdioden
Bipolare und unipolare Transistoren
Integrierte Schaltungen
Thyristoren, Diac und Triac
Fotorhalbleiter, Halbleiterelemente mit speziellen Eigenschaften
Elektronen- und Ionenröhren

Autoren/Hrsg.

Beuth, Klaus

Inhaltsverzeichnis

1;Titel;3
2;Copyright / Impressum;4
3;Vorwort;5
4;Inhaltsverzeichnis;7
5;1 Einführung in die Oszillographenmesstechnik;17
5.1;1.1 Allgemeines;17
5.2;1.2 Aufbau und Arbeitsweise eines Oszilloskops;18
5.3;1.3 Bedienung eines Oszillosko;23
5.4;1.4 Lernziel-Test;25
6;2 Lineare und nichtlineare Widerstände;27
6.1;2.1 Allgemeine Eigenschaften;27
6.2;2.2 Festwiderstände;29
6.3;2.3 Einstellbare Widerstände;37
6.4;2.4 Temperaturabhängigkeit von Widerständen;43
6.5;2.5 Heißleiterwiderstände und Kaltleiterwiderstände;44
6.6;2.6 Spannungsabhängige Widerstände;49
6.7;2.7 Lernziel-Test;53
7;3 Kondensatoren und Spulen;57
7.1;3.1 Kapazität;57
7.2;3.2 Kondensatoren;59
7.3;3.3 Kondensator im Gleichstromkreis;71
7.4;3.4 Kondensator im Wechselstromkreis;74
7.5;3.5 Reihen- und Parallelschaltung von Kondensatoren;77
7.6;3.6 Spulen;79
7.7;3.7 Spule im Gleichstromkreis;83
7.8;3.8 Spule im Wechselstromkreis;86
7.9;3.9 Reihen- und Parallelschaltung von Spulen;91
7.10;3.10 Lernziel-Test;94
8;4 Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole;97
8.1;4.1 Allgemeines;97
8.2;4.2 Reihenschaltung von R und C;97
8.3;4.3 Reihenschaltung von R und L;98
8.4;4.4 RC-Glied;99
8.5;4.5 CR-Glied;101
8.6;4.6 RL-Glied;103
8.7;4.7 LR-Glied;105
8.8;4.8 Schwingkreise;106
8.9;4.9 RC-Glied als Integrierglied;118
8.10;4.10 CR-Glied als Differenzierglied;120
8.11;4.11 Lernziel-Test;123
9;5 Halbleiterdioden;125
9.1;5.1 Halbleiterwerkstoffe;125
9.2;5.2 Aufbau eines Halbleiterkristalls;126
9.3;5.3 Eigenleitfähigkeit;128
9.4;5.4 n-Silizium;128
9.5;5.5 p-Silizium;130
9.6;5.6 pn-Übergang;132
9.7;5.7 Arbeitsweise von Halbleiterdioden;138
9.8;5.8 Schaltverhalten von Halbleiterdioden;144
9.9;5.9 Temperaturverhalten von Halbleiterdioden;146
9.10;5.10 Halbleiterdioden als Gleichrichter;147
9.11;5.11 Halbleiterdioden als Schalter;152
9.12;5.12 Bauarten von Halbleiterdioden;153
9.13;5.13 Prüfen von Halbleiterdioden;156
9.14;5.14 Kennwerte und Grenzwerte;157
9.15;5.15 Lernziel-Test;159
10;6 Halbleiterdioden mit speziellen Eigenschaften;161
10.1;6.1 Z-Dioden;161
10.2;6.2 Kapazitätsdioden;170
10.3;6.3 Tunneldioden (Esakidioden);175
10.4;6.4 Backwarddioden;178
10.5;6.5 PIN-Dioden;179
10.6;6.6 Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Dioden);182
10.7;6.7 Lernziel-Test;184
11;7 Bipolare Transistoren;187
11.1;7.1 Allgemeines;187
11.2;7.2 Arbeitsweise von pnp-Transistoren;187
11.3;7.3 Arbeitsweise von npn-Transistoren;192
11.4;7.4 Spannungen und Ströme beim Transistor;194
11.5;7.5 Kennlinienfelder und Kennwerte (Emittergrundschaltung);197
11.6;7.6 Wahl des Transistorarbeitspunktes;203
11.7;7.7 Steuerung des Transistors;207
11.8;7.8 Restströme, Sperrspannungen und Durchbruchspannungen;211
11.9;7.9 Übersteuerungszustand und Sättigungsspannungen;214
11.10;7.10 Transistorverlustleistung;216
11.11;7.11 Temperatureinfluss und Arbeitspunktstabilisierung;220
11.12;7.12 Transistorrauschen;221
11.13;7.13 Transistordaten;225
11.14;7.14 Anwendungen;230
11.15;7.15 Lernziel-Test;236
12;8 Unipolare Transistoren;239
12.1;8.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET);239
12.2;8.2 MOS-Feldeffekttransistoren (IG-FET);249
12.3;8.3 Dual-Gate-MOS-FET;264
12.4;8.4 Unijunktiontransistoren (UJT);265
12.5;8.5 Lernziel-Test;269
13;9 Integrierte Schaltungen;271
13.1;9.1 Allgemeines;271
13.2;9.2 Integrationstechniken;272
13.3;9.3 Analoge und digitale integrierte Schaltungen;277
13.4;9.4 Integrationsgrad und Packungsdichte;279
13.5;9.5 Vor- und Nachteile integrierter Schaltungen;280
13.6;9.6 Nanotechnik;281
13.7;9.7 Operationsverstärker;282
13.8;9.8 Lernziel-Test;289
14;10 Thyristoren;291
14.1;10.1 Vierschichtdioden (Thyristordioden);291
14.2;10.2 Thyristoren (rückwärtssperrende Thyristortrioden);296
14.3;10.3 Thyristortetroden;311
14.4;10.4 GTO-Thyristoren;313
14.5;10.5 Lernziel-Test;316
15;11 Diac und Triac;319
15.1;11.1 Diac;319
15.2;11.2 Triac;322
15.3;11.3 Steuerungen mit Diac und Triac;328
15.4;11.4 Lernziel-Test;331
16;12 Fotohalbleiter;333
16.1;12.1 Innerer fotoelektrischer Effekt;333
16.2;12.2 Fotowiderstände;334
16.3;12.3 Fotoelemente und Solarzellen;336
16.4;12.4 Fotodioden;345
16.5;12.5 Fototransistoren;347
16.6;12.6 Fotothyristoren, Fotothyristortetroden;349
16.7;12.7 Leuchtdioden (LED);352
16.8;12.8 Halbleiterlaser;367
16.9;12.9 Lichtwellenleiter;368
16.10;12.10 Opto-Koppler;371
16.11;12.11 Lernziel-Test;374
17;13 Halbleiterbauelemente mit speziellen Eigenschaften;375
17.1;13.1 Hallgeneratoren;375
17.2;13.2 Feldplatten;379
17.3;13.3 Magnetdioden;382
17.4;13.4 Druckabhängige Halbleiterbauelemente;384
17.5;13.5 Flüssigkristall-Bauteile;385
17.6;13.6 Thin-Film-Transistor(TFT)-LCD-Bildschirme;389
17.7;13.7 Plasma-Displays (PDP, Plasma Display Panel);392
17.8;13.8 Lernziel-Test;393
18;14 Elektronen- und Ionenröhren;395
18.1;14.1 Thermoemission;395
18.2;14.2 Röhrendiode (Zweipolröhre, Vakuumdiode);395
18.3;14.3 Triode (Dreipolröhre);397
18.4;14.4 Tetrode (Vierpolröhre);402
18.5;14.5 Pentode (Fünfpolröhre);403
18.6;14.6 Elektronenstrahlröhren;407
18.7;14.7 Ionenröhren;412
18.8;14.8 Fotozellen;416
18.9;14.9 Lernziel-Test;420
19;15 Lösungen der Lernziel-Tests;421
19.1;Kapitel 1;421
19.2;Kapitel 2;421
19.3;Kapitel 3;422
19.4;Kapitel 4;424
19.5;Kapitel 5;425
19.6;Kapitel 6;426
19.7;Kapitel 7;426
19.8;Kapitel 8;428
19.9;Kapitel 9;428
19.10;Kapitel 10;429
19.11;Kapitel 11;429
19.12;Kapitel 12;429
19.13;Kapitel 13;429
19.14;Kapitel 14;430
20;Anhang Datenblätter;431
20.1;SIEMENS PNP Silicon Darlington Transistor BC 516;432
20.2;SIEMENS NPN Silicon Darlington Transistor BC 517;436
21;Glossar;440
22;Stichwortverzeichnis;441