Buch, Englisch, 201 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 3343 g
Buch, Englisch, 201 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 3343 g
ISBN: 978-1-4939-4482-8
Verlag: Springer
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
Scaling of a MOS Transistor.- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents.- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization.- Dielectrics for Nanoelectronics.- Germanium Technology.- Biaxial s-Si Technology.- Uniaxial s-Si Technology.- Alternate MOS Structures.- Graphene Technology.