Chaudhry | Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors | Buch | 978-1-4614-6821-9 | www.sack.de

Buch, Englisch, 201 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 4498 g

Chaudhry

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors


2013
ISBN: 978-1-4614-6821-9
Verlag: Springer

Buch, Englisch, 201 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 4498 g

ISBN: 978-1-4614-6821-9
Verlag: Springer

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-? technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.

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Zielgruppe

Research

Autoren/Hrsg.

Chaudhry, Amit

Fachgebiete

Weitere Infos & Material

Scaling of a MOS Transistor.- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents.- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization.- Dielectrics for Nanoelectronics.- Germanium Technology.- Biaxial s-Si Technology.- Uniaxial s-Si Technology.- Alternate MOS Structures.- Graphene Technology.

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