Buch, Englisch, 201 Seiten, HC gerader Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 4498 g
Buch, Englisch, 201 Seiten, HC gerader Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 4498 g
ISBN: 978-1-4614-6821-9
Verlag: Springer
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
Scaling of a MOS Transistor.- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents.- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization.- Dielectrics for Nanoelectronics.- Germanium Technology.- Biaxial s-Si Technology.- Uniaxial s-Si Technology.- Alternate MOS Structures.- Graphene Technology.