Buch, Englisch, 340 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 705 g
Buch, Englisch, 340 Seiten, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 705 g
Reihe: Integrated Circuits and Systems
ISBN: 978-0-387-71751-7
Verlag: Springer US
This book explains the physics and properties of multi-gate field-effect transistors (MuGFETs), how they are made and how circuit designers can use them to improve the performances of integrated circuits. It covers the emergence of quantum effects due to the reduced size of the devices and describes the evolution of the MOS transistor from classical structures to SOI (silicon-on-insulator) and then to MuGFETs.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Bauelemente, Schaltkreise
- Technische Wissenschaften Technik Allgemein Physik, Chemie für Ingenieure
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Mikroprozessoren
Weitere Infos & Material
The SOI MOSFET: from Single Gate to Multigate.- Multigate MOSFET Technology.- BSIM-CMG: A Compact Model for Multi-Gate Transistors.- Physics of the Multigate MOS System.- Mobility in Multigate MOSFETs.- Radiation Effects in Advanced Single- and Multi-Gate SOI MOSFETs.- Multi-Gate MOSFET Circuit Design.
