Diffusion in Semiconductors | Medienkombination | 978-3-540-60964-3 | www.sack.de

Medienkombination, Englisch, 476 Seiten, mit 1 CD-ROM, Format (B × H): 193 mm x 270 mm, Gewicht: 1540 g

Reihe: Condensed Matter

Diffusion in Semiconductors


Erscheinungsjahr 1998
ISBN: 978-3-540-60964-3
Verlag: Springer

Medienkombination, Englisch, 476 Seiten, mit 1 CD-ROM, Format (B × H): 193 mm x 270 mm, Gewicht: 1540 g

Reihe: Condensed Matter

ISBN: 978-3-540-60964-3
Verlag: Springer


Subvolume A of two subvolumes on Diffusion in Semiconductors and Non-Metallic Solids consists of a comprehensive and critical compilation of data for the following materials and properties: diffusion in silicon, germanium and their alloys, diffusion in compound semiconductors, diffusion in silicides, chemical diffusion in bulk inhomogeneous semiconductors, grain-boundary and dislocation diffusion in semiconductors and silicides and surface diffusion on semiconductors. Although most of the silicides are not semiconducting, this chapter is included here because a number of them have become integrated in the Si technology and because they were not covered in the previous volume III/26 on diffusion in metallic substances. Subvolume A contains a CD-ROM.

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Zielgruppe


Research

Weitere Infos & Material


From the Contents: Atomic Fluxes.- Equations for diffusion.- Atomic mechanisms of diffusion.- Methods of measuring diffusion coefficients.- Temperature, pressure and mass dependence of diffusion.- Diffusion in elementary semiconductors.- Diffusion in compound semiconductors.- Diffusion in silicides.- Chemical diffusion.- Grain-boundary and dislocation diffusion.- Surface diffusion



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