Fisher / Ltd | Defects and Diffusion in Semiconductors VI | E-Book | www.sack.de
E-Book

E-Book, Englisch, 458 Seiten

Fisher / Ltd Defects and Diffusion in Semiconductors VI


Erscheinungsjahr 2003
ISBN: 978-3-0357-0725-0
Verlag: Trans Tech Publications
Format: PDF
Kopierschutz: 0 - No protection

E-Book, Englisch, 458 Seiten

ISBN: 978-3-0357-0725-0
Verlag: Trans Tech Publications
Format: PDF
Kopierschutz: 0 - No protection



This volume of the annual series contains nearly 800 selected abstracts of recent research in the semiconductor field: dating up to about September 2003 (depending upon individual source publication dates).

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Weitere Infos & Material


Stable Hydrogen Pair Trapped at Carbon Impurities in Silicon

New Approach to Capacitance Studies of 'DX' Centers
Diodes Fabricated by Electron Beam Doping (Superdiffusion)Technique in Semiconductors at Room Temperature

Modeling of Dopant and Defect Interactions in Si Process Simulators

Spectroscopic Study of Magnesium-Related Impurities in Silicon

Makyoh Topography: A Simple Yet Powerful Optical Method for Surface Flatness and Defect Characterisation

Electron Diffraction of 3-D Defects in Nanostructural II-VI Semiconductors

A Finite Difference Calculation of Impurity Migration in Semiconductors by the Kick-Out Mechanism

In-Diffusion Concentration Profiles of Dopants in Semiconductors

Recent Advances in the Measurement of Interstitial Oxygen in Silicon by Infra-Red Spectroscopy

Algorithm Animation for Superdiffusion of a Non-Equilibrium in Semiconductors



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