Fundamentals of Power Semiconductor Devices | E-Book | www.sack.de
E-Book

E-Book, Englisch, 1069 Seiten

Fundamentals of Power Semiconductor Devices


1. Auflage 2010
ISBN: 978-0-387-47314-7
Verlag: Springer-Verlag
Format: PDF
 Kopierschutz: Adobe DRM (»Systemvoraussetzungen)

E-Book, Englisch, 1069 Seiten

ISBN: 978-0-387-47314-7
Verlag: Springer-Verlag
Format: PDF
 Kopierschutz: Adobe DRM (»Systemvoraussetzungen)

Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown.  The treatment focuses on silicon devices and includes the  unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.



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Autoren/Hrsg.

Weitere Infos & Material

1;Dedication;5
2;Preface;6
3;Contents;14
4;Introduction;23
5;Material Properties and Transport Physics;45
6;Breakdown Voltage;112
7;Schottky Rectifiers;188
8;P-i-N Rectifiers;223
9;Power MOSFETs;298
10;Bipolar Junction Transistors;526
11;Thyristors;643
12;Insulated Gate Bipolar Transistors;755
13;Synopsis;1044
14;Index;1069

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