Ishibashi / Osada | Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design | E-Book | www.sack.de
E-Book

E-Book, Englisch, 144 Seiten

Ishibashi / Osada Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design


1. Auflage 2011
ISBN: 978-3-642-19568-6
Verlag: Springer
Format: PDF
 Kopierschutz: Adobe DRM (»Systemvoraussetzungen)

E-Book, Englisch, 144 Seiten

ISBN: 978-3-642-19568-6
Verlag: Springer
Format: PDF
 Kopierschutz: Adobe DRM (»Systemvoraussetzungen)

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

Ishibashi / Osada Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design jetzt bestellen!

Autoren/Hrsg.

Ishibashi, Koichiro
Osada, Kenichi
Ihre Fragen, Wünsche oder Anmerkungen
Vorname*
Nachname*
Ihre E-Mail-Adresse*
Kundennr.
Ihre Nachricht*
Lediglich mit * gekennzeichnete Felder sind Pflichtfelder.
Wenn Sie die im Kontaktformular eingegebenen Daten durch Klick auf den nachfolgenden Button übersenden, erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Ihr Angaben für die Beantwortung Ihrer Anfrage verwenden. Selbstverständlich werden Ihre Daten vertraulich behandelt und nicht an Dritte weitergegeben. Sie können der Verwendung Ihrer Daten jederzeit widersprechen. Das Datenhandling bei Sack Fachmedien erklären wir Ihnen in unserer Datenschutzerklärung.