Madelung Festkörper Probleme IX

Advances in Solid State Physics
1. Auflage 2013
ISBN: 978-1-4831-4591-4
Verlag: Elsevier Science & Techn.
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

E-Book, Englisch, 400 Seiten, Web PDF

Festkörper Probleme IX: Advances in Solid State Physics presents a model for the behavior of electrons in non-crystalline materials. This book describes some experimental evidence that supports for the behavior of electrons. Organized into 16 chapters, this book begins with an overview of crystallization, glass forming, and melting processes in systems forming chalcogenide glasses. This text then describes the theory of the transport properties of electrons in non-crystalline solids and liquids. Other chapters consider the optical and electrical properties of amorphous semiconductors wherein the treatment is mainly restricted to the elements selenium, germanium, and tellurium. This book discusses as well the basic aspects of the optical phenomena of the Jahn-Teller effect, with emphasis on some criteria of the strength and observability of the Jahn-Teller effect. The final chapter deals with the methods for processing emulsion and metal film masks. This book is a valuable resource for solid state physicists.

Autoren/Hrsg.

Madelung, O.

Inhaltsverzeichnis

1;Front Cover;1
2;Festkörper Probleme IX: Advances in Solid State Physics;4
3;Copyright Page;5
4;Table of Contents;7
5;Vorwort;6
6;Chapter 1. Struktur und Bindungsverhältnisse in amorphen Halbleitern;10
6.1;I. Einleitung;10
6.2;2. Allgemeines über die Struktur von Gläsern;10
6.3;3. Halbmetalle im glasigen Zustand;12
6.4;4. Bindung über s-Zustände in Kristallen und Gläsern;19
6.5;5. Aufbau der Schmelzen von Germanium und Antimon;20
6.6;6. Bildung und Struktur von Chalkogenidgläsern;25
6.7;7. Literatur;30
7;Chapter 2. Charge transport in non-crystalline semiconductors;31
7.1;1. Introduction; impurity conduction;31
7.2;2. Glasses and evaporated films;40
7.3;3. Amorphous germanium;44
7.4;4. Switching;51
7.5;5. References;54
8;Chapter 3. Optische und elektrische Eigenschaften von amorphen Halbleitern;55
8.1;1. Einleitung;55
8.2;2. Optische Eigenschaften;56
8.3;3. Elektrische Eigenschaften;69
8.4;4. Abschließende Bemerkungen;79
8.5;5. Literaturverzeichnis;80
9;Chapter 4. Light Scattering in Semiconductors;83
9.1;1. Introduction;83
9.2;2. Experimental Methods;83
9.3;3. Phonons;86
9.4;4. Electrons;93
9.5;Acknowledgments;106
9.6;6. References;106
10;Chapter 5. Der Jahn-Teller-Effekt;108
10.1;1. Einleitung;108
10.2;2. Der Jahn-Teller-Effekt von E-Zuständen;109
10.3;3. Der Jahn-Teller-Effekt von T-Zuständen in Oh-Symmetrie;130
10.4;4. Schlußbetrachtungen;141
10.5;Literatur;144
11;Chapter 6. Elektrische Instabilitäten in Halb- und Photoleitern;147
11.1;1. Einleitung;147
11.2;2. Domänen und Filamente in Halbleitern mit fallender differentieller Kennlinie;150
11.3;3. Einiges zur phänomenologischen Theorie, stationäre Zustände;154
11.4;4. Nichtstationäre Zustände;161
11.5;5. Physikalische Mechanismen;170
11.6;6. Anhang;177
11.7;7. Literatur;180
12;Chapter 7. Über die Physik des Lawinendurchbruches in Halbleitern;181
12.1;1. Einführung;181
12.2;2. Mikroplasmen und perfekte Ubergänge;184
12.3;3. Ionisationskoeffizienten und Durchbruchspannung;191
12.4;4. Elektronenemission;205
12.5;5. Lichtemission aus pn-Übergängen;207
12.6;6. Schluß;210
12.7;7. Literatur;212
13;Chapter 8. Analytic Properties of Thermodynamic Functions and Phase Transitions;216
13.1;1. Introduction;217
13.2;2. Experimental results about phase transitions;217
13.3;3. The present status of theory;224
13.4;4. Phases as holomorphic regions in the complex temperature plane;229
13.5;5. Thermodynamic functions of several physical complex variables: microscopic aspects;252
13.6;6. Holomorphic thermodynamic functions: thermodynamical aspects;257
13.7;References;262
14;Chapter 9. Die elektronische Bandstruktur in äußeren Magnetfeldern;264
14.1;1. Einleitung;264
14.2;2. Phasenintegral-Quantisierung;265
14.3;3. Magnetic Breakdown;271
14.4;4. Die magnetische Translationsgruppe;277
14.5;5. Stark gebundene Elektronen;279
14.6;6. Nahezu freie Elektronen;283
14.7;7. De Haas-van Alphen-Amplituden;286
14.8;8. Literatur;288
15;Chapter 10. Physical Properties of Transferred-Electron and Avalanche Microwave
Devices;289
15.1;1. Introduction;289
15.2;2. Transferred-electron devices;289
15.3;3. Avalanche multiplication devices;297
15.4;4. Concluding remarks;306
15.5;5. References;306
16;Chapter 11. Neue Ergebnisse an MIS-Transistoren;309
16.1;Literatur;324
17;Chapter 12. The Application of Ion Implantation to Semiconductor Devices;325
17.1;Introduction;325
17.2;1. Apparatus;325
17.3;2. Doping Profiles;327
17.4;3. Electrical properties of implanted layers;330
17.5;4. Devices;334
17.6;5. Compound semiconductors;344
17.7;Conclusions;345
17.8;References;346
18;Chapter 13. Computer Device Modeling;347
18.1;Abstract;347
18.2;References;348
19;Chapter 14. Monolithische Speicher;349
19.1;Einleitung;350
19.2;1. Schieberegister;350
19.3;2. Festwertspeicher;352
19.4;3. Schreib-Lese-Speicher mit beliebigem Zugriff;355
19.5;4. Schluß;362
19.6;5. Literatur;363
20;Chapter 15. Thyristoren für hohe Spannungen;365
20.1;1. Einführung;365
20.2;2. Dimensionierungsfragen;367
20.3;3. Die Gütezahl und Strombelastbarkeit;372
20.4;4. Überstromfestigkeit;374
20.5;5. Potentialfreie Zündung;378
20.6;6. Zusammenfassung;380
20.7;7. Literatur;381
21;Chapter 16. Moderne Verfahren zur Herstellung von Masken für Halbleiterschaltungen;382
21.1;1. Allgemeines;382
21.2;2. Arbeitsgänge bei der Maskenherstellung;383
21.3;3. Neue physikalische Verfahren bei der Maskenherstellung;399
21.4;4. Literatur;400
22;FESTKÖRPER PROBLEME;401