Madelung Festkörper Probleme VIII

Advances in Solid State Physics
1. Auflage 2013
ISBN: 978-1-4831-4034-6
Verlag: Elsevier Science & Techn.
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

E-Book, Englisch, 322 Seiten, Web PDF

Festkörper Probleme VIII reviews the status of radiation damage in semiconducting materials and components. This book examines the problems connected to the mechanism of production of defects by bombardment with energetic particles, particularly the displacement energy. Comprised of nine chapters, this book begins with an overview of the microstructure of radiation defects in silicon, which is known from optical absorption experiments and electron spin resonance. This text then explains the preparation of single crystals of high purity or defined impurity contents, which is the basis of successful solid state research. Other chapters consider the widespread application of vapor phase reactions. This book discusses as well mechanism of latent image formation, which considers some advances in silver halide research. The final chapter explains the useful information that can be obtained by a study of the field effects. This book is a valuable resource for solid state physicists as well as applied physicists.

Autoren/Hrsg.

Madelung, O.

Inhaltsverzeichnis

1;Cover;1
2;Festkörper Problem VIII;2
3;Copyright Page;3
4;Table of Contents;5
5;Vorwort;4
6;Chapter 1. Strahlenschäden in Halbleitern und Halbleiterbauelementen;6
6.1;Summary;6
6.2;1. Einführung;6
6.3;2. Zum Erzeugungsmechanismus von Gitterfehlstellen;8
6.4;3. Die Mikrostruktur der Strahlungsdefekte;14
6.5;4. Elektrische und optische Untersuchungen an bestrahlten Halbleitern;17
6.6;5. Strahlenschädigung von Halbleiterbauelementen;26
6.7;6. Tempereffekte an bestrahIten Halbleitern;39
6.8;Literatur;43
7;Chapter 2. Kristallzucht aus der Gasphase;47
7.1;Summary;47
7.2;1. Einleitung;47
7.3;2. Allgemeines zur Kristallzucht;49
7.4;3. Bildung fester Phasen aus Gasen;52
7.5;4. Kristallzucht aus gasförmigen Nährphasen;56
7.6;5. Schlußbemerkungen;76
7.7;Literatur;77
8;Chapter 3. Die Physik des photographischen Prozesses;79
8.1;Summary: Physical problems of the photographic process;79
8.2;I. Einleitung;79
8.3;II. Die Übertragungskette;80
8.4;III. Die Lichtstreuung in photographischen Schichten;80
8.5;IV. Zusammenhang zwischen Quantenempfindlichkeit der Halogensilberkristalle und Schwärzung der photographischen Schicht;89
8.6;V. Kristallstruktur photographischer Emulsionen;91
8.7;VI. Bindungsverhältnisse im Halogensilberkristall;97
8.8;VII. Elektrische Leitfähigkeit des Halogensilbers;99
8.9;VIII. Die Beteiligung von beweglichen (Photo-) Elektronen und (Zwischengitter-)Silberionen am photographischen Elementarprozeß;103
8.10;IX. Lichtabsorption, Bändermodell und Elektronenfallen;105
8.11;X. Randschichtprobleme am Kontakt AgBr/wässrige Lösung;109
8.12;XI. Die Chemische Reifung;115
8.13;XII. Spektrale Sensibilisierung;118
8.14;XIII. Solarisation;123
8.15;XIV. Reziprozitätsverhalten;124
8.16;XV. Doppelbelichtungseffekte;130
8.17;XVI. Mechanismus der photographischen Entwicklung;132
8.18;Literatur;135
9;Chapter 4. Zur Physik der Elektrophotographie;136
9.1;1. Einleitung;138
9.2;2. Aufladung;143
9.3;3. Entladung durch Belichtung;153
9.4;4. Entwicklungscharakteristik;167
9.5;5. Farbelektrophotographie;175
9.6;6. Ausblick;176
9.7;Literatur;178
10;Chapter 5. Der photokapazitive Effekt;180
10.1;1. Einleitung;180
10.2;2. Ursachen fur die photokapazitiven Effekte;181
10.3;3. Kriterien fur die Unterscheidung der Effekte;186
10.4;4. Historische Entwicklung der Arbeiten über photokapazitive Effekte;191
10.5;5. Neuere Untersuchungen an Il/VI-Photohalbleitern;202
10.6;6. Untersuchungen an anderen Substanzen;224
10.7;7. Photokapazitive Effekte in der Elektronik;228
10.8;8. Zusammenfassung;230
10.9;Literatur;231
11;Chapter 6. Neue Ergebnisse über Elektronentraps und „Tunnel-Nachleuchten" in ZnS;237
11.1;Allgemeine Vorbemerkungen über ZnS-Phosphore;237
11.2;Bisherige Ergebnisse über Traps in Phosphoren der ZnS-Gruppe;238
11.3;Neue Ergebnisse bei tiefer Temperatur (> 4,2 ° K);242
11.4;Zeitliche Abklingung des Nachleuchtens bei festgehaltener Temperatur;249
11.5;Abhängigkeit der Einfangwahrscheinlichkeit durch Traps von der Temperatur;253
11.6;Beziehung des „Tunnel-Nachleuchtens" zum „Donor-Acceptor"-Modell der Lumineszenz;254
11.7;Literatur;257
12;Chapter 7. Ergebnisse und Mängel der heutigen Theorie der Supraleiter 2. Art;259
12.1;1. Einleitung;259
12.2;2. Grundlagen der Theorie der Supraleiter 2. Art;260
12.3;3. Vorhandene Ergebnisse;264
12.4;4. Möglichkeiten für weitere Ergebnisse;266
12.5;Literatur;268
12.6;Diffusion in Metallen und Halbleitern;269
12.7;Literatur;272
13;Chapter 8. Die Plastizität von Germanium und Silizium;273
13.1;Literatur;280
14;Chapter 9. The Influence of Electric and Magnetic Fields on the Transport Properties of Polyatomic Dilute Gases;281
14.1;A. General Introduction;281
14.2;B. Survey of the Theory;285
14.3;C. Survey of the Experiments;291
14.4;D. Information to be obtained;309
14.5;References;313