Madelung Festkörper Probleme

1. Auflage 2017
ISBN: 978-1-4831-5597-5
Verlag: Elsevier Science & Techn.
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark

E-Book, Englisch, 292 Seiten, Web PDF

Festkorper Probleme VII covers papers of the European Meeting of the IEEE about Semiconductor Device Research. The book includes papers about the advances in band structures investigations using optical techniques; some problems in the physics of power rectifiers and thyristors; the surface properties of thermally oxidized silicon; and the amplification of acoustic waves at microwave frequencies. The text also presents papers about active thin film devices, optoelectronic devices, and negative conductance in semiconductors. Electrical engineers will find the book invaluable.

Autoren/Hrsg.

Madelung, O.

Inhaltsverzeichnis

1;Front Cover;1
2;Festkörper Probleme VII;2
3;Copyright Page;3
4;Table of Contents;5
5;Vorwort;4
6;Chapter 1. Supraleitende Halbleiter;6
6.1;1. Einleitung;6
6.2;2. Supraleitung in Metallen;7
6.3;3. Möglichkeiten des Suprazustands in Halbleitern;10
6.4;4. Supraleitendes n-Germanium;12
6.5;5. Supraleitung in polaren Halbleitern;15
6.6;6. Spezielle Anordnungen;19
6.7;Literatur;21
7;Chapter 2. Neuere Methoden und Ergebnisse der Bandstruktur berechnung in Halbleitern;23
7.1;1. Einleitung;23
7.2;2. Problemstellung;23
7.3;3. Methoden zur Lösung der Kristall-Schrödingergleichung;27
7.4;4. Relativistische Effekte;44
7.5;5. Ergebnisse;52
7.6;Literatur;74
8;Chapter 3. Recent advances in band structures investigations using optical techniques
;78
8.1;Outline;78
8.2;References;79
9;Chapter 4. Ultrarot-Lumineszenz von Zinksulfid-Phosphoren;80
9.1;1. Einleitung;80
9.2;2. Gestörte Kristallzustände (breite Banden);82
9.3;3. Gestörte lonenzustände (strukturierte Spektren);87
9.4;4. Ausblick;107
9.5;Literatur;109
10;Chapter 5. Some problems in the physics of power rectifiers and thyristors
;113
10.1;1. Strong forward loads in power rectifiers;113
10.2;2. Strong forward loads in thyristors;116
10.3;3. The blocking capability of power rectifiers;118
10.4;4. The blocking capability of a thyristor;122
10.5;5. The break-over voltage of a thyristor;125
10.6;6. Reverse recovery processes in pin structures;127
10.7;7. Switching-over processes in psn structures;131
10.8;8. Determination of the lifetime according to Hoffmann and Schuster [26];134
10.9;9. Switching-over processes in thyristors;135
10.10;References;135
11;Chapter 6. The surface properties of thermally oxidized silicon;137
11.1;1. Introduction;137
11.2;2. The effect of bulk imperfections on the properties of silicon;141
11.3;3. Imperfections at the silicon-silicon dioxide interface;142
11.4;4. Measurement of surface parameters and the influence of these parameters on semiconductor device characteristics;145
11.5;5. Methods of affecting the number of interface states and positive surface (oxide) charges;152
11.6;6. The effect of oxide-charges and interface states on silicon device characteristics;156
11.7;7. Stability problems;157
11.8;8. Conclusions;160
11.9;References;161
12;Chapter 7. Amplification of acoustic waves at microwave frequencies;163
12.1;Abstract;163
12.2;I. Introduction;163
12.3;II. Transducers;165
12.4;III. Current oscillations;168
12.5;IV. Microwave amplification;176
12.6;V. Conclusions;184
12.7;Acknowledgements;185
12.8;References;186
13;Chapter 8. Active thin film devices;188
13.1;References;204
14;Chapter 9. Galvanomagnetische Bauelemente;205
14.1;Literatur;221
15;Chapter 10. Optoelectronic devices;222
15.1;1. Introduction;222
15.2;2. The interaction of light with a P-N junction;222
15.3;3. Photodiodes;228
15.4;4. Electroluminescent light sources;231
15.5;5. Injection lasers;245
15.6;6. P-N junction optoelectronics;257
15.7;Appendix A: Properties of an inhomogeneous electroluminescent P-N junction;259
15.8;References;264
16;Chapter 11. Negative conductance in semiconductors;269
16.1;1. Introduction;269
16.2;2. Phase-shift negative conductance in avalanche-transit time devices;270
16.3;3. Local negative conductivity in GaAs;274
16.4;4. Space charge instabilities;278
16.5;5. Quenched space charge instabilities in resonant circuits;288
16.6;6. A conclusion;290
16.7;References;290
17;Autorenverzeichnis;293