Pavlov / Sachdev | CMOS Sram Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies | Buch | 978-1-4020-8362-4 | www.sack.de

Buch, Englisch, Band 40, 194 Seiten, Format (B × H): 166 mm x 242 mm, Gewicht: 1050 g

Reihe: Frontiers in Electronic Testing

Pavlov / Sachdev

CMOS Sram Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies

Process-Aware Sram Design and Test
2008. Auflage 2008
ISBN: 978-1-4020-8362-4
Verlag: Springer

Process-Aware Sram Design and Test

Buch, Englisch, Band 40, 194 Seiten, Format (B × H): 166 mm x 242 mm, Gewicht: 1050 g

Reihe: Frontiers in Electronic Testing

ISBN: 978-1-4020-8362-4
Verlag: Springer

The monograph will be dedicated to SRAM (memory) design and test issues in nano-scaled technologies by adapting the cell design and chip design considerations to the growing process variations with associated test issues. Purpose: provide process-aware solutions for SRAM design and test challenges.

Pavlov / Sachdev CMOS Sram Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies jetzt bestellen!

Zielgruppe

Research

Autoren/Hrsg.

Pavlov, Andrei
Sachdev, Manoj

Fachgebiete

Weitere Infos & Material

and Motivation.- SRAM Circuit Design and Operation.- SRAM Cell Stability: Definition, Modeling and Testing.- Traditional SRAM Fault Models and Test Practices.- Techniques for Detection of SRAM Cells with Stability Faults.- Soft Errors in SRAMs: Sources, Mechanisms and Mitigation Techniques.

Prof. Sachdev has authored several successful books with Springer

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