Ruterana / Albrecht / Neugebauer Nitride Semiconductors

Handbook on Materials and Devices
1. Auflage 2006
ISBN: 978-3-527-60740-2
Verlag: Wiley-VCH
Format: PDF
Kopierschutz: Adobe DRM (»Systemvoraussetzungen)

E-Book, Englisch, 664 Seiten, E-Book

Halbleiter-Bauelemente auf Silizium-Basis finden seit Jahren ein breites Einsatzfeld. Diese metallischen Halbleiter sind gut erforscht und technologisch erschlossen. Nun hat eine neue Materialgruppe auf sich aufmerksam gemacht: Keramische Halbleiter auf Nitrid-Basis sind aufgrund ihrer optischen und elektronischen Eigenschaften zum aktuellen Gegenstand der Forschung geworden. Für die Industrie eröffnen sich neue Anwendungen im Bereich der Fotosensoren, als moderne Lichtquellen oder als Bauteile in der Elektronik.
Die vorliegende Sammlung längerer Übersichtsartikel ermöglicht ein systematisches und tiefgehendes Studium der Thematik. In kompakter und umfassender Form sowie auf hohem und aktuellem Niveau werden Informationen über die physikalischen Grundlagen und neueste Erkenntnisse zu diesem Materialsystem bereitgestellt. Die Beiträge befassen sich mit den physikalischen Vorgängen bei der Herstellung, d.h. dem Wachstum dieser Halbleiter, der atomaren Struktur und den darauf beruhenden Eigenschaften sowie zukünftigen industriellen Anwendungen. Ein Buch von großer Relevanz für alle, die in der angewandten Materialforschung und der Halbleiterindustrie tätig sind.

Autoren/Hrsg.

Ruterana, Pierre

Albrecht, Martin

Neugebauer, Jörg

Inhaltsverzeichnis

1. High Pressure Crystallization of GaN (I. Grzegory, S. Krukowski, M. Leszczynski, P. Perlin, T. Suski, and S. Porowski)
 
2. Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN (P. Gibart, B. Beaumont, and P. Vennéguès)
 
3. Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy of III-V Nitrides (A. Georgakilas, H. M. Ng, and Ph. Komninou)
 
4. The Growth of Gallium Nitride by Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) (A. Trassoudaine, R. Cadoret and E. Aujol)
 
5. Growth and Properties of InN (V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, S. V. Ivanov, I. Aderhold, and A. Yamamoto)
 
6. Ab initio Analysis of Surface Structures and Adatom Kinetics of Group-III Nitrides (J. Neugebauer)
 
7. Topological Analysis of Defects in Nitride Semiconductors (G. P. Dimitrakopulos, Ph. Komninou, Th. Karakostas, and R. C. Pond)
 
8. Extended Defects in Wurtzite GaN Layers: Atomic Structure, Formation and Interaction Mechanisms (P. Ruterana, A. M. Sánchez, and G. Nouet)
 
9. Stain, Chemical Composition and Defects Analysis at Atomical Level in GaN Based Epitaxial Layers (S. Kret, P. Ruterana, C. Delamarre, T. Benabbas, and P. Dluzewski)
 
10. Ohmic Contacts to GaN (P. J. Hartlieb, R. J. Nemanich, and R.F. Davis)
 
11. Electroluminescent Diodes and Laser Diodes (H. Amano)
 
12. GaN-based Modulation Doped FETs and Heterojunction Bipolar Transistors ( H. Morkoç, L. Liu)
 
13. GaN Based UV Photodetectors (Franck Omnes, Eva Monroy)

Über Autor(innen)

Isabella Grzegory, High Pressure Research Center, Poland
Pierre Gibart, CRHEA-CNRS, France
A. Georgakilas, Microelectronics Research Group, Greece
Agnès Trassoudaine, Université Blaise Pascal, France
V. Yu. Davydov, Polytekhnicheskaya, Russia
Jörg Neugebauer, Fritz-Haber-Institut der MPG, Germany
Ph. Komninou, Aristotle University of Thessaloniki, Greece
Pierre Ruterana, ESCTM-CRISMAT, France
P. J. Hartlieb, North Carolina State University
Raleigh, USA
H. Amano; Meijo University, Japan
Hadis Morkoç, Virginia Commonwealth University, USA
Franck Omnes, CRHEA/CNRS, France