Liebe Besucherinnen und Besucher,
heute ab 15 Uhr feiern wir unser Sommerfest und sind daher nicht erreichbar. Ab morgen sind wir wieder wie gewohnt für Sie da. Wir bitten um Ihr Verständnis – Ihr Team von Sack Fachmedien
E-Book, Englisch, 442 Seiten, eBook
Reihe: NanoScience and Technology
Grundmann Nano-Optoelectronics
Erscheinungsjahr 2012
ISBN: 978-3-642-56149-8
Verlag: Springer
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark
Concepts, Physics and Devices
E-Book, Englisch, 442 Seiten, eBook
Reihe: NanoScience and Technology
ISBN: 978-3-642-56149-8
Verlag: Springer
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
I Concepts.- 1 The History of Heterostructure Lasers.- 2 Stress-Engineered Quantum Dots: Nature’s Way.- II Physics.- 3 Characterization of Structure and Composition of Quantum Dots by Transmission Electron Microscopy.- 4 Scanning Tunneling Microscopy Characterization of InAs Nanostructures Formed on GaAs(001).- 5 Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy at InAs Quantum Dots.- 6 X-ray Characterization of Group III-Nitrides (Al,In,Ga)N.- 7 Theory of the Electronic and Optical Properties of InGaAs/GaAs Quantum Dots.- 8 Magneto-Tunneling Spectroscopy of Self-Assembled InAs Dots.- 9 Modulation Spectroscopy and Surface Photovoltage Spectroscopy of Semiconductor Quantum Wires and Quantum Dots.- 10 Optical Properties of Self-Organized Quantum Dots.- 11 High Occupancy Effects and Condensation Phenomena in Semiconductor Microcavities and Bulk Semiconductors.- III Devices.- 12 Theory of Quantum Dot Lasers.- 13 Long-Wavelength InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers.- 14 InP/GalnP Quantum Dot Lasers.- 15 High Power Quantum Dot Lasers.- 16 Inter-Sublevel Transitions in Quantum Dots and Device Applications.- 17 Progress in Growth and Physics of Nitride-Based Quantum Dots.- 18 Ultrafast Optical Properties of Quantum Dot Amplifiers.
