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Sinnwell / Fraunhofer IAF, Freiburg On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications
Erscheinungsjahr 2025Verlag: Fraunhofer VerlagISBN: 978-3-8396-2103-5Medium: Buch56,00 € (inkl. MwSt.)
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