Buch, Deutsch, 338 Seiten, mit Lös.;, Format (B × H): 148 mm x 210 mm, Gewicht: 461 g
Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Buch, Deutsch, 338 Seiten, mit Lös.;, Format (B × H): 148 mm x 210 mm, Gewicht: 461 g
ISBN: 978-3-8351-0245-3
Verlag: Springer
Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
In der 5. Auflage sind neue Themen wie "Atomic Layer Deposition" hinzugekommen, das Kapitel zur PECVD-Abscheidung wurde ergänzt und High-k-Dielektrika in Herstellung und Anwendung wurden zusätzlich eingearbeitet.
Zielgruppe
Graduate
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Maschinenbau Mechatronik, Mikrosysteme (MEMS), Nanosysteme
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Produktionstechnik Fertigungstechnik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
Weitere Infos & Material
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen - Atomic Layer Deposition