Itoh / Tanaka / Horiguchi | Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories | Buch | 978-1-4419-4124-4 | sack.de

Buch, Englisch, 346 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 546 g

Reihe: Integrated Circuits and Systems

Itoh / Tanaka / Horiguchi

Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories


1. Auflage. Softcover version of original hardcover Auflage 2007
ISBN: 978-1-4419-4124-4
Verlag: Springer US

Buch, Englisch, 346 Seiten, Previously published in hardcover, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 546 g

Reihe: Integrated Circuits and Systems

ISBN: 978-1-4419-4124-4
Verlag: Springer US


Ultra-Low Voltage Nano-Scale Memories provides an in-depth discussion of the state-of-the-art nanometer and sub-1-V memory LSIs that are playing decisive roles in power conscious systems. Emerging problems between the device, circuit, and system levels are systematically covered in terms of reliable high-speed operations of memory cells and peripheral logic circuits. The effectiveness of solutions at device and circuit levels is also described at length through clarifying noise components in an array, and even essential differences in ultra-low voltage operations between DRAMs and SRAMs. Moreover, various kinds of on-chip voltage converters necessary to solve problems with internal power-supply managements are extensively discussed. This authoritative monograph addresses these design challenges for memory and circuit engineers as well as for researchers and students who are interested in ultra-low voltage nano-scale memory LSIs.

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Zielgruppe


Professional/practitioner

Weitere Infos & Material


An Introduction to LSI Design.- Ultra-Low Voltage Nano-Scale DRAM Cells.- Ultra-Low Voltage Nano-Scale SRAM Cells.- Leakage Reduction for Logic Circuits in RAMs.- Variability Issue in the Nanometer Era.- Reference Voltage Generators.- Voltage Down-Converters.- Voltage Up-Converters and Negative Voltage Generators.- High-Voltage Tolerant Circuits.



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