Properties of Advanced Semiconductor Materials

1. Auflage 2001
ISBN: 978-0-471-35827-5
Verlag: Wiley-Blackwell

Buch, Englisch, 216 Seiten, Format (B × H): 162 mm x 242 mm, Gewicht: 463 g

Containing the most reliable parameter values for each of these semiconductor materials, along with applicable references, these data are organized in a structured, logical way for each semiconductor material.
* Reviews traditional semiconductor materials as well as new, advanced semiconductors.
* Essential authoritative handbook on the properties of semiconductor materials.

Autoren/Hrsg.

Levinshtein, Michael E.

Rumyantsev, Sergey L.

Shur, Michael S.

Fachgebiete

• Naturwissenschaften Chemie Anorganische Chemie Festkörperchemie
• Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
• Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Physik der Zustandsübergänge
• Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Oberflächen- und Grenzflächenphysik, Dünne Schichten
• Naturwissenschaften Physik Thermodynamik Festkörperphysik, Kondensierte Materie

Inhaltsverzeichnis

Contributors.

Preface.

Gallium Nitride (GaN) (V. Bougrov, et al.).

Aluminum Nitride (AIN) (Y. Goldberg).

Indium Nitride (InN) (A. Zubrilov).

Boron Nitride (BN) (S. Rumyantsev, et al.).

Silicon Carbide (SiC) (Y. Goldberg, et al.).

Silicon-Germanium (Si_1-xGe_x) (F. Schäffler).

Appendix 1: Basic Physical Constants.

Appendix 2: Periodic Table of the Elements.

Appendix 3: Rectangular Coordinates for Hexagonal Crystal.

Appendix 4: The First Brillouin Zone for Wurtzite Crystal.

Appendix 5: Zinc Blende Structure.

Appendix 6: The First Brillouin Zone for Zinc Blende Crystal.

Additional References.