Halbleiter-Technologie

3., völlig neubearbeitete und erweiterte Auflage 1991
ISBN: 978-3-540-53873-8
Verlag: Springer Berlin Heidelberg

Buch, Deutsch, Band 4, 287 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 476 g

Reihe: Halbleiter-Elektronik

Aus den Besprechungen: "Der Autor wendet sich mit diesem Buch an Leser, die Halbleiterkomponenten herstellen wollen. Er versucht einen Mittelweg zu nehmen, indem er sich auf grundlegende Theorien abstützt, aber auch technologische Prozesse beschreibt. Auch Schwierigkeiten, die entstehen, wenn neu entwickelte Technologien in die Produktion übergeführt werden müssen, verschweigt er nicht. ..." #PTT Bulletin technique/Technische Mitteilungen# "... Dem Autor dieses Buches ist es gelungen, sowohl die grundlegenden Theorien als auch die technologischen Prozesse und Verfahren in einer lebendigen und eindrucksvollen Art zu behandeln. Das Buch wird viele Freunde finden." #Elin-Zeitschrift# "Das Buch schließt eine Lücke in der deutschsprachigen Literatur, die von Lehrenden und Lernenden und sicher auch von Praktikern stark empfunden wurde. Der Versuch des Verfassers, sich bei der Beschreibung der technologischen Prozesse nicht in Einzelheiten zu verlieren, vielmehr das Grundsätzliche herauszustellen und auch theoretisch abzustützen, darf als geglückt bezeichnet werden..." #AEU Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik#

Zielgruppe

Graduate

Autoren/Hrsg.

Mader, Hermann

Ruge, Ingolf

Fachgebiete

• Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Mikroprozessoren
• Technische Wissenschaften Energietechnik | Elektrotechnik Elektrotechnik

Inhaltsverzeichnis

1 Der ideale Einkristall.- 1.1 Gitteraufbau.- 1.2 Beschreibung von Ebenen und Richtungen im Kristall.- 1.3 Bindungskräfte.- 2 Der reale Kristall.- 2.1 Punktförmige Kristallfehler.- 2.2 Linienförmige Kristallfehler.- 2.3 Flächenhafte Kristallfehler.- 2.4 Volumendefekte.- 3 Herstellung von Einkristallen.- 3.1 Grundlagen des Kristallwachstums.- 3.2 Phasendiagramme.- 3.3 Verfahren der Kristallzucht.- 4 Dotiertechnologie.- 4.1 Legierung.- 4.2 Diffusion.- 4.3.- 4.4 Dotierung durch Kernumwandlung.- 4.5 Gegenüberstellung der Dotierungsverfahren.- 5 Der Metall-Halbleiter-Kontakt.- 5.1 Das System Metall-Vakuum.- 5.2 Das System Metall-Halbleiter.- 5.3 Strom-Spannungs-Kennlinien der Kontakte.- 5.4 Technische Ausführungen von Schottky- und ohmschen Kontakten.- 5.5 Wärmeableitung durch Kontakte.- 6 Meßverfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern.- 6.1 Meßverfahren zur Ermittlung elektrischer Größen.- 6.2 Meßverfahren zur Ermittlung physikalischer Größen.- 7 Kristallvorbereitung.- 7.1 Sägen.- 7.2 Oberflächenglättung.- 7.3 Ätzen.- 7.4 Reinigen der Krsitalloberfläche.- 8 Technologie Integrierter Schaltungen.- 8.1 Grundzüge der Planartechnik.- 8.2 Schichttechnik.- 8.3 Lithographie.- 8.4 Ätztechnik.- 8.5 Maskierwirkung von strukturierten Schichten.- 8.6 Spezielle Prozesse für die Herstellung von Integrierten Schaltungen.- 8.7 Gesamtprozesse zur Herstellung Integrierter Schaltungen.- 9 Gehäuse- und Montagetechnik.- 9.1 Gehäusetypen.- 9.2 Montage der Halbleiter-Chips im Gehäuse.- 9.3 Kontaktierung mit Drähten.- 9.4 Andere Kontaktierungs- und Montagemethoden.- 9.5 Verkapselung.- 10 Mikromechanik.- 10.1 Physikalische Effekte zur Signalumwandlung.- 10.2 Technologie der Mikromechanik.- 10.3 Anwendungen der Mikromechanik.- 11 Anhang.