Buch, Deutsch, Band 21, 435 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 674 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
Buch, Deutsch, Band 21, 435 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 674 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
ISBN: 978-3-540-55867-5
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Dr. W. Heywang und Prof. Dr. R. Miiller fUr fordernde Diskussionen zu diesem Projekt, vor aHem aber auch fUr die geduldige Nachsicht, daB das Manuskript nicht so rasch abgeschlossen werden konnte, wie urspriinglich geplant.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
1. Der MOS-Feldeffektransistor, das wichtigste Bauelement innerhalb der Familie der Feldeffekttransistoren.- 2. Der MOS-Transistor als Funktionselement. Grundlagen, Wirkprinzip und Kennlinienmodell.- 2.1 Der MOS-Zweipol.- 2.2 Der MOS-Transitor. Grundlegende Kennlinieneigenschaften.- 2.3 Verbesserte Modellierung.- 2.4 Der MOSFET bei abnehmenden Geometrien. Kurzkanal- und Schmalkanaleffekte. Submikrometertransistor.- 3. Der MOSFET im dynamischen Betrieb.- 3.1 Kleinsignal verhalten für tiefe Frequenzen.- 3.2 Signalverhalten im quasistationären Betrieb.- 3.3 Dynamisches Verhalten.- 3.4 MOSFET-Modelle für den Schaltungsentwurf.- 3.5 Schalt- und Impulsverhalten.- 4. Bauformen des MOSFET.- 4.1 Der MOSFET in integrierten Schaltungen.- 4.2 Speicherfeldeffekttransistoren.- 4.3 MOS-Leistungsbauelemente.- 4.4 Temperaturverhalten.
