Buch, Deutsch, Band 6, 244 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 382 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
Buch, Deutsch, Band 6, 244 Seiten, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 382 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
ISBN: 978-3-642-81189-0
Verlag: Springer
Elektroniker und Schaltungstechniker, die mit der Entwicklung von Transistorschaltungen befa13t sind, sehen sich auf der einen Seite mit den Datenblattangaben der Halbleiterhersteller, auf der anderen Seite mit den speziellen Anforderungen des Anwendungsfalles kon frontiert. Das komplexe Bauelement Transistor lii13t sich nur dann optimal einsetzen, wenn sein Verhalten iiber die zahlenmii13ig erfa- ten Eigenschaften hinaus unter allen moglichen Betriebsbedingungen bekannt ist. Dazu sind umfassende Kenntnisse iiber die physikalischen Zusammenhiinge zwischen den elektrischen Eigenschaften und dem Aufbau der verwendeten Transistoren erforderlich. Die Technik der bipolaren Transistoren hat sich in den letzten Jah ren stetig weiterentwickelt. Ziel des vorliegenden Bandes der Buch reihe "Halbleiter-Elektronik" ist es, den heute erreichten Stand, wie er in neueren Originalarbeiten und Firmenschriften dokumentiert ist, in iiberschaubarer Form zusammenzufassen. Die Eigenschaften rea ler Transistoren sind in hohem Ma13e von Sekundiireffekten und da mit von der speziellen Technologie abhiingig. Neben der klassischen Transistorphysik sind deshalb auch technische Aspekte beriicksich tigt. Die Erkliirungen stiitzen sich ohne theoretische Breite auf ein fache und einpriigsame Modellvorstellungen, kompliziertere Sach verhalte werden durch physikalische Interpretation soweit als mog lich anschaulich gemacht. Mathematische Formulierungen sind auf ein Minimum eingeschriinkt. Fragen der Schaltungstechnik werden nicht behandelt.
Zielgruppe
Graduate
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
Bezeichnungen und Symbole.- 1 Grundlagen.- 1.1 Funktionsweise.- 1.2 Großsignal verhalten und Kennlinien.- 1.3 Kleinsignalverhalten.- 2 Kenndaten.- 2.1 Stromverstärkung.- 2.2 Hochfrequenzverhalten.- 2.3 Schaltverhalten.- 2.4 Rauschen.- 3 Grenzdaten.- 3.1 Zuverlässigkeit und thermisches Verhalten.- 3.2 Sperrverhalten.- 3.3 Zweiter Durchbruch.- 3.4 Verschleißvorgänge.- 4 Technische Ausführungen.- 4.1 Niederfrequenz-Planartransistoren.- 4.2 Leistungstransistoren.- 4.3 Hochfrequenztransistoren.- 4.4 Anhang: Darlingtontransistoren.
