Cressler | SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices | E-Book | sack.de
E-Book

E-Book, Englisch, 264 Seiten

Cressler SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices


Erscheinungsjahr 2017
ISBN: 978-1-351-83479-7
Verlag: Taylor & Francis eBooks
Format: EPUB
 Kopierschutz: Adobe DRM (»Systemvoraussetzungen)

E-Book, Englisch, 264 Seiten

ISBN: 978-1-351-83479-7
Verlag: Taylor & Francis eBooks
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Autoren/Hrsg.

Cressler, John D.
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