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Hiroshi Ishiwara
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Park / Ishiwara / Yoon Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Device Physics and Applications2. Auflage 2020Verlag: Springer Nature SingaporeISBN: 978-981-1512-11-7Medium: Buch160,49 € (inkl. MwSt.)
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Park / Ishiwara / Okuyama Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Device Physics and Applications2. Auflage 2020Verlag: Springer SingaporeISBN: 978-981-1512-12-4Medium: eBookFormat: PDF
Kopierschutz: Wasserzeichen (»Systemvoraussetzungen)149,79 € (inkl. MwSt.)
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Ishiwara / Okuyama / Arimoto Ferroelectric Random Access Memories
2004Verlag: Springer-Verlag GmbHISBN: 978-3-540-40718-8Medium: Buch320,99 € (inkl. MwSt.)
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Park / Ishiwara / Yoon Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Device Physics and Applications2. Auflage 2020Verlag: Springer Nature SingaporeISBN: 978-981-1512-14-8Medium: Buch160,49 € (inkl. MwSt.)
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Park / Ishiwara / Okuyama Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Device Physics and Applications1. Auflage 2016Verlag: Springer NetherlandISBN: 978-94-024-0841-6Medium: eBookFormat: PDF
Kopierschutz: Adobe DRM (»Systemvoraussetzungen)117,69 € (inkl. MwSt.)
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Ishiwara / Arimoto / Okuyama Ferroelectric Random Access Memories
Fundamentals and ApplicationsSoftcover version of original hardcover Auflage 2004Verlag: SpringerISBN: 978-3-642-07384-7Medium: Buch320,99 € (inkl. MwSt.)
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Park / Ishiwara / Yoon Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Device Physics and ApplicationsSoftcover Nachdruck of the original 1. Auflage 2016Verlag: Springer NetherlandsISBN: 978-94-024-1416-5Medium: Buch123,04 € (inkl. MwSt.)
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